MOSFET
PMS3N10EG
MOSFET
PMS3N10EG はMOSFETで、PDFN5060-8L パッケージを採用。
PDFN5060-8L RoHS適合 ハロゲンフリー 在庫あり
パッケージ：PDFN5060-8L
特長
- VDS = 100V, ID = 170A
- RDS(on) = 3mΩ @ VGS = 10V, ID = 40A
- エンハンスメントモード
- 低RDS(on)により導通損失を最小化
- 100% アバランシェ試験済、100% rg試験済
- Qg、Qgd、Qgd/Qgs比を最適化してスイッチング損失を最小化
用途
- 高周波スイッチング
- 同期整流
主要スペック
Product Name
PMS3N10EG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS
(V)
100
ID
(A)
170
RDS(ON)@VG=10V
Typ. (mΩ)
3
RDS(ON)@VG=4.5V
Typ. (mΩ)
-
VGS(TH)
Min. (V)
2.3