MOSFET
PMS3N10EG
MOSFET
PMS3N10EG 为MOSFET，采用 PDFN5060-8L 封装。
PDFN5060-8L 符合 RoHS 无卤 现货供应
封装 — PDFN5060-8L
产品特性
- Enhancement mode
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- 100% Avalanche Tested,100% rg Tested
- Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize
- switching losses
应用领域
- Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger
- Battery management
关键规格
Product Name
PMS3N10EG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS
(V)
100
ID
(A)
170
RDS(ON)@VG=10V
Typ. (mΩ)
3
RDS(ON)@VG=4.5V
Typ. (mΩ)
-
VGS(TH)
Min. (V)
2.3