MOSFET
PMS3N10EG
MOSFET
PMS3N10EG 为MOSFET，采用 PDFN5060-8L 封装。
PDFN5060-8L 符合 RoHS 无卤 现货供应
封装：PDFN5060-8L
产品特性
- VDS = 100V, ID = 170A
- RDS(on) = 3mΩ @ VGS = 10V, ID = 40A
- 增强模式
- 低 RDS(on)，降低导通损耗
- 100% 雪崩测试和 100% rg 测试
- 优化 Qg，Qgd 与 Qgd/Qgs 比值，降低开关损耗
应用领域
- 高频开关
- 同步整流
关键规格
Product Name
PMS3N10EG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS
(V)
100
ID
(A)
170
RDS(ON)@VG=10V
Typ. (mΩ)
3
RDS(ON)@VG=4.5V
Typ. (mΩ)
-
VGS(TH)
Min. (V)
2.3