MOSFET
PMS3N10EG
MOSFET
PMS3N10EG은 MOSFET이며, PDFN5060-8L 패키지를 채택.
PDFN5060-8L RoHS 준수 할로겐 프리 재고 보유
패키지: PDFN5060-8L
특징
- VDS = 100V, ID = 170A
- RDS(on) = 3mΩ @ VGS = 10V, ID = 40A
- 인핸스먼트 모드
- 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화
- 100% 애벌랜치 시험, 100% rg 시험 완료
- Qg, Qgd 및 Qgd/Qgs 비율을 최적화하여 스위칭 손실을 최소화
응용 분야
- 고주파 스위칭
- 동기 정류
주요 사양
Product Name
PMS3N10EG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS
(V)
100
ID
(A)
170
RDS(ON)@VG=10V
Typ. (mΩ)
3
RDS(ON)@VG=4.5V
Typ. (mΩ)
-
VGS(TH)
Min. (V)
2.3