交叉参考

电机驱动

用于 BLDC、步进与伺服电机驱动的 MOSFET、栅极驱动器与保护元件

电机驱动应用对整个电力链造成考验 — 低 Rds MOSFET 需承受高电流、快速切换需要强健的栅极驱动、反向电动势事件考验保护元件。Magnias 提供搭配栅极驱动 IC 的离散 MOSFET (30V 至 200V 等级)、肖特基二极管、ESD/TVS 保护与小信号 IC,适用于 BLDC、有刷直流、步进与伺服电机系统。5×6 SO-8FL 与 3×3 DFN-8 封装中,Rds(on) 从 1 mΩ 起 — 让设计人员可依电流、切换损耗与 PCB 面积需求精准选型。

应用领域

BLDC 三相逆变器

  • 100V / 150V N 通道 MOSFET ×6 (低 Rds 达到低损切换)
  • 自举肖特基二极管
  • 栅极源极 ESD 保护
  • 控制总线逻辑电平转换

有刷直流 H 桥

  • 30V / 60V P+N MOSFET 对
  • 低 IQ LDO (3.3V 控制轨)
  • TVS 抑制反电动势
  • 开漏 INT 信号

步进电机驱动器

  • 40V N 通道 MOSFET (逻辑电平 Vth)
  • 比较器 (过流检测)
  • STEP / DIR 输入 ESD
  • VCC 稳压降压

伺服 / 机器人执行器

  • 60V / 100V MOSFET (PWM 级)
  • 推挽式电平转换器 (编码器接口)
  • 光电二极管偏置 LDO (光学编码器)
  • 传感器信号路径 ESD

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工业电机驱动客户常需 AEC-Q101 (-A 后缀) 以利车用跨领域应用。请联系 FAE 确认特定 MOSFET 料号的认证信息。

申请样品或电机驱动设计支持

正在设计 BLDC、伺服或步进电机驱动?提供电机规格与目标电流 — Magnias 将推荐适当的 MOSFET 对、栅极驱动偏置轨与保护组合,并于一个工作日内出货样品。