分立元件
MOSFET
现代电子的开关与放大主力。
这是什么？
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电压控制的开关。对栅极施加电压即可在漏极与源极之间导通电流。用作 DC-DC 转换器，电机驱动器，电源分配选通与信号切换的开关器件。有 N 沟道（较常见，单位面积 RDS(on) 较低）和 P 沟道（高侧驱动较简单）两种。
何时需要它？
- 任何 DC-DC 转换器（降压，升压，反激和半桥）的开关器件。
- 电机驱动器（BLDC，步进和有刷直流）。
- 负载开关与电池保护。
- 反向极性保护（以 PMOS 构成的理想二极管电路）。
- 信号级模拟开关（例如 2N7002 等小信号 NMOS 用于电平平移，选通）。
如何挑选合适的型号
- 极性（N 或 P）
- N 沟道用于低侧切换或同步整流；P 沟道用于栅极驱动较简单的高侧驱动。
- VDS（漏源极击穿电压）
- 必须超过开关所见最大电压。常见 30 V，40 V，60 V，100 V，150 V，200 V，650 V 和 800 V。
- 您 VGS 下的 RDS(on)
- 导通电阻。越低发热越少，但芯片越大，成本越高。通常在 VGS = 10 V（标准栅极驱动）与 4.5 V（逻辑电平驱动）下标示。
- VGS(max) 与 VGS(th)
- VGS(max) 为不可超过的额定。VGS(th) 为 MOSFET 开始导通的位置，对 2 V 以下驱动应用很重要。
- Qg（总栅极电荷）
- 切换栅极所需能量。Qg 越小切换越快，驱动损耗越低。高 fSW 时关键。
- 封装
- 小信号用 SOT-23 / SOT-323 / SOT-363 / DFN1006；电源用 DFN2x2 / DFN3x3 / SO-8 / TO-220 / TO-263 / TOLL。
Magnias 提供的产品
MOSFET 是 Magnias 最强的产品线之一：2N7002CL 与 2N7002KL 等小信号 NMOS，20 V 至 1000 V 的 N 沟道功率 MOSFET，12 V 至 100 V 的 P 沟道，双 N+N 与 N+P 料号，以及用于离线 PFC 与反激的 650 V / 800 V 超结料号。许多料号有 AEC-Q101 版本（请见各数据手册）。
常见问题
为什么数据手册在多个 VGS 值下标示 RDS(on)？
MOSFET 导通电阻随栅极驱动提高而下降直至饱和。请选择符合您栅极驱动器输出的 VGS，并查看「该」RDS(on)，若您仅将栅极驱至 4.5 V，别相信头条 10 V 的数字。
「逻辑电平」MOSFET 是什么意思？
VGS(th) 足够低（通常 < 2 V），3.3 V 或 4.5 V 栅极驱动就能完全增强。对微控制器直接驱动至关重要。
2N7002 该用哪个版本？
2N7002CL 与 2N7002KL 都是在产的 60 V，0.3 A SOT23 料号，栅极都有 2 kV ESD 保护。2N7002CL 的导通电阻更低。请在两份数据手册中比较您的栅极驱动电压下的 RDS(on)，或咨询您的 FAE。
为什么超结在高压下更好？
电荷平衡的柱状结构让器件可用较窄的耗尽宽度维持耐压，RDS(on) 在 500 V+ 随电压缩放比平面设计好得多。SJ MOSFET 是离线 PFC 与 LLC 应用的标准。
如何避免半桥中的直通？
两 FET 切换之间的死区时间。最小死区时间 = max(td(off)) + Qg / 驱动电流。多数栅极驱动 IC 可让您直接设定此值。