Bộ chỉnh lưu phục hồi nhanh
Bộ chỉnh lưu silicon có thời gian phục hồi ngược ngắn cho bộ chuyển đổi công suất tần số cao.
Đây là gì?
Bộ chỉnh lưu phục hồi nhanh (FRR) là diode tiếp giáp P-N silicon được tối ưu cho thời gian phục hồi ngược ngắn (Trr), thường 35-100 ns so với ~1000+ ns cho bộ chỉnh lưu đa dụng. Dùng trong bộ chuyển đổi công suất tần số cao (>50 kHz) nơi phục hồi ngược chậm sẽ lãng phí năng lượng và gây xung điện áp. So với Schottky, FRR xử lý điện áp ngược cao hơn (200-1000 V) với rò thấp hơn ở T cao.
Khi nào bạn cần?
- Bộ chỉnh lưu thứ cấp bộ chuyển đổi flyback trên 100 V đầu ra.
- Bộ chỉnh lưu đầu ra của bộ chuyển đổi tăng áp trên 150 V.
- Diode tăng áp PFC (Hiệu chỉnh hệ số công suất).
- Diode snubber trong mạch chuyển mạch cảm.
- Bất kỳ bộ chỉnh lưu tần số cao nào trên dải điện áp Schottky thực tế.
Cách chọn đúng linh kiện
- IF (Dòng thuận trung bình)
- Đủ cho dòng tải liên tục với biên nhiệt.
- VR (Điện áp ngược lặp lại)
- Chọn cao hơn nhiều so với điện áp ngược tối đa khi chuyển mạch của bộ chuyển đổi.
- Trr (Thời gian phục hồi ngược)
- Ngắn hơn là tốt hơn. <50 ns cho chuyển mạch >100 kHz; <35 ns cho >250 kHz.
- QRR (Điện tích phục hồi ngược)
- Điện tích lưu trữ được quét ra trong khi phục hồi. QRR thấp hơn = tổn hao chuyển mạch ít hơn và EMI thấp hơn.
- VF (Điện áp thuận)
- Đánh đổi với Trr, diode siêu nhanh có VF cao hơn. Chọn VF chậm nhất đáp ứng tốc độ chuyển mạch của bạn.
Magnias cung cấp gì
Bộ chỉnh lưu phục hồi nhanh của Magnias bao trùm 1 A đến 8 A và 50 V đến 1000 V, với Trr từ 35 ns đến 500 ns: linh kiện 1 A đến 3 A trong vỏ SOD123-FL, SMA (DO-214AC) và SMB (DO-214AA), từ dòng ES 35 ns đến PRS1xxxFL (tới 500 ns ở 800-1000 V), cùng MUR805-CT đến MUR860-CT siêu nhanh 8 A (50-600 V, 35 / 50 ns) trong vỏ TO-220AC. Nhiều dòng có phiên bản AEC-Q101 (xem mã đặt hàng -A trong từng datasheet).